难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的差距开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，最早也要等到2032年至2034年之后。难高成本、枕无堆叠与热管理、忧韩实际生态差距为4至5年。他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。

金容锡提醒，

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。